For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

BJTs - Transistor Lưỡng Cực SS 60V XSTR NPN SPL onsemi SPZT651T1G

Technology: Si

Unit Weight: 110 mg

REACH - SVHC: Details

Configuration: Single

Qualification: AEC-Q100

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Polarity: NPN

Pd - Power Dissipation: 800 mW

Gain Bandwidth Product fT: 75 MHz

Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V

Collector- Base Voltage VCBO: 80 V

Maximum DC Collector Current: 2 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min: 75 at 50 mA, 2 VDC

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi